P -kanava- MOSFET on eräänlainen transistori ,elektroninen laite, joka toimiikytkin -tai vahvistimen sähkövirran . MOSFET viittaatransistorin tyyppi jamateriaaleja, jotka antavat sille sen ominaisuuksia . Ne ovat enemmän jännitesensitiiviset ja energiatehokkaita kuin niiden serkut ,risteyksessä transistoria. Koska he tekevät hyvää kytkimet , MOSFETs ovat hyötyneet digitaalitekniikkaa , mukaan lukien tietokoneet, matkapuhelimet ja monet muut vastaavat kulutustavaroita . Kuvaus
MOSFET onelektroninen komponentti, jolla kolme terminaalia , käytetään nimeä lähde , hila ja nielu . Fyysisesti yksittäiset MOSFETs tulevat pakattu kuten muihinkin transistorit , joilla on tavallinen tapaus tyylejä, kutenTO- 3 tai TO – 92 . Diskreetti transistorit kuten nämä ovat välillä noin neljäsosa 1 1/2 tuumaa kooltaan . Asian itse tekee suurimman osanlaitteen kokoa , suojellapieni MOSFET sisällä lialta ja vaurioilta ja antamalla sen haihduttaa lämpöä . Onmikrosiru , jokainen MOSFET on yksi miljoonia mikroskooppisia laitteita , joilla on yhteinen siivu piitä .
MOSFET
MOSFET onlyhenne sanoista ” Metal Oxide Semiconductor kanavatransistorille . ” Useimmat nykyiset MOSFETit silikonilla , vaikka alussa esimerkit oli metallioksidista komponentteja . Inkanavatransistori ,pieni sähkökenttä ympäröivästä hilaelektrodin vaikuttaa sähkönjohtavuuden lähde- ja nieluelektrodien . Tämä on päinvastoin kuin risteyksessä transistori , joka hyödyntää virtaa jasandwich kolmesta kerroksesta , jotka on erityisesti käsitelty pii . Vaikka molemmat erilaisia transistorit toimivat kytkimet,kenttä – vaikutusMOSFET toimii nopeammin kuinliitostransistorin ja kuluttaa vähemmän virtaa .
P – Channel
MOSFETs on kahta perustyyppiä : P – kanava ja N – kanava . Kaksi on eri jännite polariteetti , joka on samanlainenpolaarisuus ero PNP -ja NPN- liitoksen transistorit . Piiri käyttäenP- kanavainen MOSFET on valua jännite pienempi kuin lähteessä ; tilanne on päinvastainen vuonnaN- kanavainen MOSFET piiri. VuonnaN – kanavainen laite , Elektronit virtaavat lähteestä valua , jaP-tyypin , reikiä tai maksu ryhmät puuttuvat elektronit virtaavat lähteestä valua .
Käyttää
korkea kytkentänopeuden ja alhainen virrankulutus MOSFETs tekee niistä ihanteellisia komponentteja logiikkaportteja , muistipiirit ja muut atk- sovellukset . Suuria harppauksiakykyä korkean teknologian laitteita 1970-luvulta lähtien on ollut riippuvainenyhä kaventuneisuuden MOSFETs , pakkaus enemmän hienostuneisuutta kuhunkin mikrosiru . Lisäksi kehitys tietokoneita,käyttö MOSFETs on parantanutlaatua ja energiatehokkuutta sähköisten virtalähteet ja äänenvahvistimien .