MOSFETit ja BJTs ovat molemmat transistori . Transistori onelektroninen komponentti, jossa on kolme terminaalia , jota voidaan käyttääelektronisesti ohjattu kytkin taijännite vahvistimen . MOSFET sanoista Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . BJT sanoista Kaksisuuntainen Junction Transistor . Sekä MOSFETs ja BJTs käytetään laajasti elektroniikan ja tietotekniikan. Tuloimpendassi
MOSFETit on suurempi impedanssi kuin BJTs . Impedanssi on vastustuskyvyn mitta tulopäätteen transistorin ja sähkövirtaa . Suunniteltaessa jännite vahvistimet on toivottavaa, että panos vastustuskyvyn olla niin korkea kuin mahdollista. Siksi MOSFETit ovat laajemmin käytettypanos vaiheessa jännite vahvistimet .
Koko
MOSFETit voidaan tehdä paljon pienempiä kuin BJTs . Monia muitakin MOSFETit voidaan sijoittaapienemmällä alueella kuin BJTs . Tästä syystä MOSFET muodostavat pääosan transistorien käytettävien mikrosiruja ja tietokoneen prosessoria . MOSFETit on myös helpompi valmistaa kuin BJTs koska ne vievät vähemmän vaiheita tehdä .
Noise
MOSFETit ovat vähemmän melua kuin BJTs . Vuonnaelektroniikka yhteydessä kohina viittaa satunnaisia häiriöitäsignaalin . Kuntransistori käytetään monistamaan signaali sisäisistä prosesseista transistorin otetaan käyttöön joitakin tämän satunnaisia häiriöitä. BJTs yleensä sisältävät enemmän kohinaa signaaliin kuin MOSFET . Tämä tarkoittaa MOSFETit sopivat paremmin signaalinkäsittelysovelluksissa tai jännitteen vahvistimet .
Thermal Runaway
BJTs kärsivätkiinteistö tunnetaan nimellä ” lämpöryntäyksen . ” Lämpöryntäyksen tapahtuu, koska johtavuus BJT kasvaa lämpötilan . Koska transistorit pyrkivät lämmetä suhteessa virran, joka virtaa niiden läpi tämä tarkoittaa sitä , että johtavuus ja lämpötila BJTs voi kasvaa eksponentiaalisesti . Tämä voi vahingoittaaBJT ja tekee suunnittelu piirit BJTs vaikeampaa . MOSFETit eivät kärsi lämpöryntäyksen .