Metal Oxide Semiconductor kentän vaikutus transistorin ( MOSFET ) on ollut olemassa vuodesta1960-luvun alussa . Sen käyttö on suosittuapuolijohdeteollisuudessa , koska se on omiaan kompaktoitavan muiden MOSFETit helpommin kuin muut transistorit . Pakataan yksitellen , MOSFETs ovat hyödyllinen luotaessa pienitehoiset vahvistimet . Nämä transistorit ottaaerikokoisina , jotenIV ominaisuudet vaihtaa malleja , ja on olemassa joitakin yhteisiä menetelmiä jo palkattu mitata näitä käyriä. Prototyyppien Breadboard
Koska yksittäiset MOSFETs ovat massa tuotetaan siellä todennäköisesti olemaan eroja jokainen osalta IV ominaisuudet . Joillekin piirisuunnitteluineenvaihtelua voi olla havaittavissa välilläteoreettisen ja havaitun suoritusarvot . Testata jokainen transistori ennen sen käyttämistä ,viemäri on liitetty virtalähteeseen jalähde kytketty maahan . Hila- lähde -jännite on asetettu erillisiä arvoja , kun taas valua jännite vaihtelee . Mittausajantasalla vaihtelulla saadaantietoja rakentaakäyräparven nähnyt monia tuoteselosteet MOSFETs .
Transistor Tester
Johtuenkohtuuttomia kustannuksia , tyypillinen harrastajien halua käyttäätransistori testaajakuvaajan näyttölaitteenIV ominaisuudetMOSFET . Tämä onlaite yleisesti nähty tutkimukseen ja testaukseen ympäristöissä . Kytkemällä johtaalähde , portti , ja viemäri,transistori testeri näyttääperheen IV mittaus käyrät sopivin väliajoin . Mallista riippuen ,saatu data voidaan tallentaa myös senasemaan myöhempää hakua tai siirtäätietokoneeseen .
Probe ja Test
jälkeen erä MOSFETs testataan ,koetin ja testiryhmässä puolijohdekomponenttien tuotantolaitos testaa jokaisen transistorin tarkistaa, onko se toimii . Anturit ovat kiinnitettylähde , portti ja nielu jokaisen MOSFET . IV ominaisuudet voidaan oppinut jokainen. Vaintyöskentelevät transistoritvalmiin kiekkojen leikataan pois ja pakataan. Koskatavoitteena tässä testissä on maksimoida tuotto , jokainen transistori on testattu olla varma jokainen on sisällä teknisiä tietoja.
Design Software
paljon sukua rakennuksia ja erilaisia koneita , erityisiä ohjelmistoja käytetään suunniteltaessa MOSFETs . Lisäksi kyky asetellanaamio kerroksia tarpeenvalmistusprosesseissa , tämä ohjelmisto pystyy tarjoamaan teoreettisia IV mittauksia . Nämä tulokset perustuvat pois monia tekijöitä, jotka on löydetty kautta laajan tutkimuksen MOSFETs . Näitä tekijöitä ovat loiskapasitanssien ja sisäiset impedanssit . Kun kaikki nämä tiedot ,IV ominaisuudetMOSFET voidaan määrittää ennen kuin se on valmistettu .